摘要：化學機械拋光（CMP）是半導體制造中關(guān)鍵的平坦化工藝，而控制研磨液中的大顆粒計數(shù)（LPC）對確保晶圓表面質(zhì)量和提高產(chǎn)品良率至關(guān)重要。隨著工藝向更小納米級發(fā)展，對LPC的檢測精度要求更高。文章討論了LPC檢測的技術(shù)難點，包括高濃度樣品干擾和大顆粒計數(shù)量化問題，并提出了自動稀釋技術(shù)和高靈敏度的單顆粒光學傳感技術(shù)（SPOS）作為解決方案。此外，文章還探討了LPC對CMP工藝的影響，包括表面平整度、拋光速率和設(shè)備損耗，并提供了從原材料到CMP slurry制造端的整套LPC監(jiān)控方案，以優(yōu)化工藝參數(shù)和保證設(shè)備穩(wěn)定運行。

關(guān)鍵詞：大顆粒計數(shù)，LPC，化學機械拋光，研磨液，Slurry，